GaN Grown on Sputtered AlN/Mo/Sc<sub>0.2</sub>Al<sub>0.8</sub>N Composite Structure with Different Mo Thickness

é‡‡ç”¨è„‰å†²ç›´æµç£æŽ§æº å°„æ³•åœ¨Si（100）衬底上制备了AlN/Mo/Sc0.2Al0.8N复合结构薄膜，在该结构上通过金属有机化学气相沉积（MOCVD）技术进行GaN薄膜的外延。使用原子力显微镜、高分辨X射线衍射、粉末Xå°„çº¿è¡å°„ã€æ‰«æç”µå­æ˜¾å¾®é•œå’Œæ‹‰æ›¼å ‰è°±ç ”ç©¶äº†Moæ’å ¥å±‚çš„åŽšåº¦å¯¹Sc0.2Al0.8N缓冲层和GaNå¤–å»¶å±‚æ™¶ä½“è´¨é‡çš„å½±å“ï¼Œç ”ç©¶äº†Sc0.2Al0.8N缓冲层对Mo上生长的GaNå¤–å»¶å±‚çš„å½±å“ã€‚ç ”ç©¶ç»“æžœè¡¨æ˜Žï¼ŒMoæ’å ¥å±‚çš„åŽšåº¦æ˜¯å½±å“Sc0.2Al0.8N缓冲层和GaNå¤–å»¶å±‚çš„é‡è¦å› ç´ ï¼ŒSc0.2Al0.8N缓冲层对Mo上GaNæ™¶ä½“è´¨é‡çš„æé«˜å ·æœ‰é‡è¦æ„ä¹‰ã€‚éšMoåŽšåº¦çš„å¢žåŠ ï¼ŒSc0.2Al0.8Nç¼“å†²å±‚çš„è¡¨é¢ç²—ç³™åº¦å ˆå‡å°åŽå¢žå¤§ï¼ŒGaN外延层的（002）面Xå°„çº¿è¡å°„æ‘‡æ‘†æ›²çº¿åŠå³°å ¨å®½å ˆå‡å°åŽå¢žå¤§ã€‚å½“Moæ’å ¥å±‚åŽšåº¦ä¸º400 nm时，GaN外延层的晶体质量最好，GaN（002）面的Xå°„çº¿è¡å°„æ‘‡æ‘†æ›²çº¿åŠå³°å ¨å®½ä¸º0.51Â°ï¼Œç”±æ‹‰æ›¼å ‰è°±è®¡ç®—å¾—åˆ°çš„åŽ‹åº”åŠ›483.09 MPa；直接在Mo上进行GaN的外延，GaN（002）面的Xå°„çº¿è¡å°„æ‘‡æ‘†æ›²çº¿åŠå³°å ¨å®½æ— æ³•æµ‹å¾—ï¼Œè¯´æ˜Žåœ¨Mo上进行GaN的外延需要Sc0.2Al0.8N缓冲层。